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MMDFS6N303
TYPICAL FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
CHIP
JUNCTION
0.0106 W 0.0431 W 0.1643 W 0.3507 W 0.4302 W
0.0253 F 0.1406 F 0.5064 F 2.9468 F 177.14 F
AMBIENT
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10
85 ° C
25 ° C
85 ° C
1.0
0.1
T J = 125 ° C
? 40 ° C
1.0
0.1
T J = 125 ° C
25 ° C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Typical Forward Voltage
http://onsemi.com
6
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Maximum Forward Voltage
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